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Seither stieg die Kapazität eines DRAM-Chips um den Faktor 8 Millionen und die Zugriffszeit verkürzte sich auf ein Hundertstel. Beispielsweise besaßen DRAM-ICs in 2014 Kapazitäten von bis zu 8 GiBit (Single-Die) bzw. 16 GiBit (Twin-Die) und Zugriffszeiten von 6 ns. Die Produktion von DRAM-Speicherchips gehört zu den umsatzstärksten Segmenten der Halbleiterindustrie. Mit den Produkten wird spekuliert; es existiert ein Spotmarkt.

Anfangs wurden DRAM-Speicher aus einzelnen Speicherbausteinen (Chips) in DIL-Bauform aufgebaut. Für 16 KiB Arbeitsspeicher (zum Beispiel im Atari 600XL oder CBM 8032) wurden 8 Speicherbausteine vom Typ 4116 (16384 Zellen zu 1 Bit) oder zwei Bausteine vom Typ 4416 (16384 Zellen zu 4 Bit) gebraucht. Für 64 KiB wurden 8 Bausteine vom Typ 4164 (C64-I) oder 2 Bausteine vom Typ 41464 (C64-II) gebraucht. IBM-PCs wurden anfangs mit 64 KiB als minimale Speicherausstattung verkauft. Hier wurden neun Bausteine vom Typ 4164 gebraucht; der neunte Baustein speichert die Paritätsbits.

Bevor die SIMMs auf den Markt kamen, gab es zum Beispiel Hauptplatinen für Rechner mit Intel-80386-Prozessoren, die mit 8 MiB Arbeitsspeicher bestückt werden konnten, der aus einzelnen Chips aufgebaut war. Dafür mussten 72 einzelne Chips vom Typ 411000 (1 MiBit) in die Sockel gedrückt werden. Dies war eine langwierige und fehleranfällige Prozedur. Sollte die gleiche Platine mit nur 4 MiB Arbeitsspeicher bestückt werden, wobei zeitweise die erheblich preiswerteren Chips vom Typ 41256 (256 KiB) anstelle des Typs 411000 verwendet wurden, dann mussten sogar 144 einzelne Chips eingesteckt werden: 9 Chips ergeben 256 KiB, 16 solcher Gruppen mit jeweils 9 Chips ergaben 4 MiB. Größere Chips wurden daher zu Modulen verlötet, die erheblich weniger Platz benötigten.

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